開(kāi)關(guān)電源芯片的靜態(tài)電流--低功耗必須考慮的因素之一 你都不知道吧，對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的電路板上的電源芯片也是有功率損耗的。每個(gè)開(kāi)關(guān)電源的電路板上都有電源芯片，不管是線(xiàn)性電源芯片，還是開(kāi)關(guān)電源芯片，都是有損耗的。一般情況下，開(kāi)關(guān)電源芯片的損耗要比線(xiàn)性電源芯片的損耗小的多。但是，開(kāi)關(guān)電源芯片的噪聲又要比線(xiàn)性

LED開(kāi)關(guān)電源防雷攻略之壓敏電阻串聯(lián)陶瓷氣體放電管 對(duì)于雷電的入侵LED開(kāi)關(guān)電源首先表現(xiàn)為過(guò)電壓，當(dāng)存在泄放通道時(shí)，產(chǎn)生電流。過(guò)電壓有共模過(guò)電壓和差模過(guò)電壓兩種類(lèi)型。由于寄生電容的存在，雷電過(guò)電壓擊穿空氣或在常壓下絕緣的器件，形成強(qiáng)大的雷電流，造成開(kāi)關(guān)電源等承載設(shè)備損壞。 LED開(kāi)關(guān)電源上所用到

用MOS管防止開(kāi)關(guān)電源反接的原理 開(kāi)關(guān)電源反接，會(huì)給電路造成損壞，不過(guò)，開(kāi)關(guān)電源反接是不可避免的。所以，就需要給電路中加入保護(hù)電路，達(dá)到即使接反電源，也不會(huì)損壞的目的。既然要用到MOS管來(lái)防止開(kāi)關(guān)電源的反接那就來(lái)先了解一下mos管吧。 mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dǎo)體(

怎樣在開(kāi)關(guān)電源電路板階段就進(jìn)行EMI處理 現(xiàn)如今各類(lèi)電子產(chǎn)品都向著小體積集成化發(fā)展，小體積為人們帶來(lái)方便攜帶的便利，同時(shí)也將電磁干擾的問(wèn)題重新推到了設(shè)計(jì)者面前。小體積的產(chǎn)品通常都面對(duì)著更加棘手的EMI問(wèn)題，本文將為大家介紹從開(kāi)關(guān)電源的電路板設(shè)計(jì)上來(lái)對(duì)EMI進(jìn)行控制需要注意的點(diǎn)。 在處理各種形式的

你想了解--開(kāi)關(guān)電源嗎？ 開(kāi)關(guān)電源因具有功耗小、效率高、體積小、重量輕、工作穩(wěn) 定、安全可靠以及穩(wěn)壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信、電子儀器、工業(yè)自動(dòng)控制、國(guó)防及家用電器等領(lǐng)域。但是開(kāi)關(guān)電源瞬態(tài)響應(yīng)較差、易產(chǎn)生電磁 干擾，且EMI信號(hào)占有很寬的頻率范圍，并具有一定的幅度。這些EMI信號(hào)經(jīng)

開(kāi)關(guān)電源布局與開(kāi)關(guān)回路的識(shí)別 在成功的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中，開(kāi)關(guān)電源布局是其中最重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。但是，在如何做到這一點(diǎn)方面，每個(gè)人都有自己的觀(guān)點(diǎn)和理由。事實(shí)是，很多不同的解決方案都是殊途同歸；如果設(shè)計(jì)不是真的一團(tuán)糟，多數(shù)開(kāi)關(guān)電源都是可以正常工作的。 當(dāng)然，這其中也有一些通用性規(guī)則： 不要在快速切換信號(hào)

來(lái)談?wù)勎宕箝_(kāi)關(guān)電源EMI抑制策略 日前開(kāi)關(guān)電源EMI抑制措施的有不足之處，現(xiàn)有的抑制措施大多從消除干擾源和受擾設(shè)備之間的耦合和輻射切斷電磁干擾的傳播途徑出發(fā)，這確是抑制干擾的一種行之有效的辦法，但是很少有人涉及直接控制干擾源，消除干擾，或提高受擾設(shè)備的抗擾能力，殊不知后者還有許多發(fā)展的空間。 五