在開關(guān)電源之MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。下面對開關(guān)電源之MOS失效的原因總結(jié)以下六點：
1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過開關(guān)電源之MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。
2：SOA失效（電流失效），既超出開關(guān)電源之MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導(dǎo)致的失效。
3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。
4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。

到底什么是雪崩失效呢，簡單來說開關(guān)電源之MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是開關(guān)電源之MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。
可能我們經(jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對我們開關(guān)電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析。雪崩失效的預(yù)防措施，它歸根結(jié)底是電壓失效，因此預(yù)防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。
1：合理降額使用，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點進(jìn)行選取。
2：合理的變壓器反射電壓。3：合理的RCD及TVS吸收電路設(shè)計。
4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結(jié)構(gòu)，盡量減少布線寄生電感。5：選擇合理的柵極電阻Rg。
6：在大功率電源中，可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進(jìn)行吸收。
SOA失效（電流失效）再簡單說下第二點，SOA失效
SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在開關(guān)電源之MOSFET上面，造成瞬時局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式。

關(guān)于SOA各個線的參數(shù)限定值可以參考。
1：受限于最大額定電流及脈沖電流       2：受限于最大節(jié)溫下的RDSON。
3：受限于器件最大的耗散功率。         4：受限于最大單個脈沖電流。     5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)
我們開關(guān)電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi)，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問題的產(chǎn)生。SOA失效的預(yù)防措施：
1：確保在最差條件下，開關(guān)電源之MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。2：將OCP功能一定要做精確細(xì)致。
在進(jìn)行OCP點設(shè)計時，一般可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據(jù)開關(guān)電源之IC的保護(hù)電壓比如0.7V開始調(diào)試RSENSE電阻。有些有經(jīng)驗的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實際的影響考慮在內(nèi)。但是此時有個更值得關(guān)注的參數(shù)，那就是MOSFET的Td（off）。3：合理的熱設(shè)計余量，這個就不多說了，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器。