開(kāi)關(guān)電源之開(kāi)關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。
開(kāi)關(guān)損耗（Switching-Loss）包括開(kāi)通損耗（Turn-on Loss）和關(guān)斷損耗(Turn-of Loss)，常常在硬開(kāi)關(guān)（Hard-Switching）和軟開(kāi)關(guān)（Soft-Switching）中討論。對(duì)于開(kāi)關(guān)電源之所謂開(kāi)通損耗（Turn-on Loss），是指非理想的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)管的電壓不是立即下降到零，而是有一個(gè)下降時(shí)間，同時(shí)它的電流也不是立即上升到負(fù)載電流，也有一個(gè)上升時(shí)間。

在這段時(shí)間內(nèi)，開(kāi)關(guān)管的電流和電壓有一個(gè)交疊區(qū)，會(huì)產(chǎn)生損耗，這個(gè)損耗即為開(kāi)通損耗。以此類比，可以得出關(guān)斷損耗產(chǎn)生的原因，這里不再贅述。
開(kāi)關(guān)損耗另一個(gè)意思是指在開(kāi)關(guān)電源中，對(duì)大的MOS管進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作時(shí)，需要對(duì)寄生電容充放電，這樣也會(huì)引起損耗。

開(kāi)關(guān)電源之MOS開(kāi)關(guān)損耗推導(dǎo)過(guò)程解析   
開(kāi)關(guān)電源工程師們都知道開(kāi)關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，開(kāi)關(guān)mos的的損耗我們談及最多的就是開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗，由于這兩個(gè)損耗不像導(dǎo)通損耗或驅(qū)動(dòng)損耗一樣那么直觀，所有有部分人對(duì)于它計(jì)算還有些迷茫。

1、開(kāi)關(guān)電源之MOS開(kāi)關(guān)損耗之最惡劣情況的分析  
電流與電壓在開(kāi)關(guān)時(shí)交疊的過(guò)程，這個(gè)圖中描述的是其實(shí)是最惡劣的情況，開(kāi)通時(shí)等mos管電流上升到I1之后mos管電壓才開(kāi)始下降，關(guān)斷時(shí)等mos管電壓上升到Vds后mos管電流才開(kāi)始下降。

2、開(kāi)關(guān)電源之MOS開(kāi)關(guān)損耗之mos管開(kāi)通過(guò)程   
階段一：電壓不變電流上升（電壓為Vds不變，電流由0上升到Ip1）mos開(kāi)通瞬間，電流從零快速開(kāi)始上升到Ip1，此過(guò)程MOS的DS電壓不變?yōu)閂ds；

階段二：電流不變電壓下降（電流為Ip1不變，電壓由Vds下降到0）
電流上升到Ip1后，此時(shí)電流的上升斜率（Ip1-Ip2段）相對(duì)0-Ip1這一瞬間是非常緩慢的，我們可以近似把上升到Ip1之后繼續(xù)上升的斜率認(rèn)為是0，把電流基本認(rèn)為是Ip1不變，此時(shí)MOS管的DS電壓開(kāi)始快速下降到0V。

3、開(kāi)關(guān)電源之MOS開(kāi)關(guān)損耗之mos管關(guān)斷過(guò)程   
階段一：電流不變電壓上升（電流為Ip2不變，電壓由0上升到Vds）電壓從0快速開(kāi)始上升到最高電壓Vds，與開(kāi)通同理此過(guò)程MOS的電流基本不變?yōu)镮p2；
階段二：電壓不變電流下降（點(diǎn)壓為Vds不變，電流由Ip2下降到0）電壓此時(shí)為Vds不變，電流迅速?gòu)腎p2以很大的下降斜率降到0。