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談開(kāi)關(guān)電源之元器件去耦電容的有效使用方法要點(diǎn)二
來(lái)源:東莞市成良智能科技 發(fā)布時(shí)間:2020-01-02 點(diǎn)擊量:1021
前段時(shí)間有跟大家分享過(guò)開(kāi)關(guān)電源之元器件去耦電容的有效使用方法,“要點(diǎn)一”使用多個(gè)去耦電容,今天為大家繼續(xù)介紹“要點(diǎn)二”降低電容的ESL(等效串聯(lián)電感)去耦電容的有效使用方法要點(diǎn)一:
開(kāi)關(guān)電源之元器件去耦電容的有效使用方法要點(diǎn):降低電容的ESL(等效串聯(lián)電感)
開(kāi)關(guān)電源之去耦電容的有效使用方法的第二個(gè)要點(diǎn)是降低電容的ESL(即等效串聯(lián)電感)。雖說(shuō)是“降低ESL”,但由于無(wú)法改變單個(gè)產(chǎn)品的ESL本身,因此這里是指“即使容值相同,也要使用ESL小的電容”。通過(guò)降低ESL,可改善高頻特性,并可更有效地降低高頻噪聲。即使容值相同也要使用尺寸較小的電容。
對(duì)于積層陶瓷電容(MLCC),有時(shí)會(huì)準(zhǔn)備容值相同但尺寸不同的幾個(gè)封裝。ESL取決于引腳部位的結(jié)構(gòu)。尺寸較小的電容基本上引腳部位也較小,通常ESL較小。更小的1005尺寸的諧振頻率更高,在之后感性區(qū)域的頻率范圍阻抗較低。這正如在“電容的頻率特性”中所介紹的,只要容值相同,ESL越低諧振頻率越高。關(guān)于噪聲對(duì)策,當(dāng)需要降低更高頻段的噪聲時(shí),可以選擇尺寸小的電容。使用旨在降低ESL的開(kāi)關(guān)電源之電容,積層陶瓷電容中,有些型號(hào)采用的是旨在降低ESL的形狀和結(jié)構(gòu)。
開(kāi)關(guān)電源之普通電容的電極在短邊側(cè),而LW逆轉(zhuǎn)型的電極則相反,在長(zhǎng)邊側(cè)。由于L(長(zhǎng)度)和W(寬度)相反,故稱(chēng)“LW逆轉(zhuǎn)型”。是通過(guò)增加電極的寬度來(lái)降低ESL的類(lèi)型。三端電容是為了改善普通電容(兩個(gè)引腳)的頻率特性而優(yōu)化了結(jié)構(gòu)的電容。三端電容是將雙引腳電容的一個(gè)引腳(電極)的另一端向外伸出作為直通引腳,將另一個(gè)引腳作為GND引腳。
開(kāi)關(guān)電源之去耦電容的有效使用方法有兩個(gè)要點(diǎn):①使用多個(gè)電容,②降低電容的ESL。通過(guò)降低電容的ESL,可改善高頻特性,并可更有效地降低高頻噪聲。有的電容雖然容值相同,但因尺寸和結(jié)構(gòu)不同而ESL更小。
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